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SG-8002CA晶振,(晶体振荡器 可编程),爱普生晶振
频率范围1MHz to 125MHz更多 +
电源电压3.0V / 3.3V / 5.0V
功能使能(OE) 或 待机(ST)
利用PLL技术实现短批量生产时间。
SG-编程器可选购。
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SG-770晶振,爱普生晶振,石英晶体振荡器
频率范围:50MHz ~ 230MHz更多 +
电源电压:2.5V 或 3.3V
输出:微分LV-PECL
外部尺寸规格:7.0 × 5.0 × 1.6mm
特性带HFF-XTAL的基频振荡器
功能:待机(ST)
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SG-636晶振,石英晶体振荡器,爱普生晶振
频率范围:2.21675MHz ~ 135MHz更多 +
电源电压:2.5V / 3.3V / 5.0V
功能使能:(OE) 或 待机(ST)
外部尺寸规格:10.5 × 5.8 × 2.7mm (t: Max.)
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SG645晶振,石英晶体振荡器,SPXO,爱普生晶振
频率范围:32.001MHz ~ 135.000MHz更多 +
电源电压:2.5V / 3.3V / 5.0V
功能使能:(OE) 或 待机(ST)
外部尺寸规格:7.1 × 5.1 × 1.5mm (t: Max.)
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HG-2150CA晶振, (晶体振荡器 高精度),爱普生晶振
频率范围:1MHz ~ 60MHz更多 +
电源电压:3.3V 或 5.0V
频率公差:±15 × 10-6 / -20°C to +70°C
功能使能:(OE)
外部尺寸规格:7.0 × 5.0 × 1.4mm
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SG-51晶振,石英晶体振荡器,爱普生晶振
频率范围:1.025MHz ~ 135MHz更多 +
电源电压:3.3V / 5.0V
功能:使能(OE) 或 待机(ST)
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SG-531P晶振,有源晶振,爱普生振荡器
频率范围:1.025MHz ~ 135MHz更多 +
电源电压:3.3V / 5.0V
功能:使能(OE) 或 待机(ST)
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DSV753S振荡器,KDS晶振,有源晶振
体积: 7.3×4.9×1.5更多 +
频率:4—50MHZ
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DSV531S晶振,压控振荡器,KDS有源晶振
体积:5.0*3.2*1.2mm更多 +
频率:5—50MHZ
特点:小型一边确保足够的可变量,线性上周波数量变化的模拟类型的VCXO
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TCO-708X晶振,石英振荡器,爱普生晶振
频率范围:1.5MHz ~ 160MHz更多 +
电源电压:3.3V 或 5.0V
外部尺寸规格:7.0 × 5.0 × 1.6mm
功能:待机(ST)
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DSO753H晶振,表面封装水晶振荡器,KDS品牌
体积:7.0*5.0*2.0mm更多 +
频率:170—230MHZ
特点:输出水平CMOS,低抖动
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DSO751SBN振荡器,有源晶振,KDS晶振
体积:7.3*4.9*1.5mm更多 +
频率:0.7—90MHZ
特点:低消费电流,一门驱动器专用振荡器,轻负荷用输出波形优化
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DSO751SBM振荡器,KDS有源晶振
体积:7.3*4.9*1.5mm更多 +
频率:0.7—90MHZ
特点:低消费电流
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SG-550晶振,贴片振荡器,爱普生晶振
频率范围:2MHz ~ 48MHz更多 +
电源电压:1.8V / 2.5V / 3.3V
电流消耗:1.5mA Typ. (SEF 1.8V 无负载条件 48MHz)
功能:待机(ST)
外部尺寸规格:5.0 × 3.2 × 1.2mm (t: Max.)
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DSO533S振荡器,有源晶振,SPXO晶振
体积:5.0*3.2*1.1mm更多 +
频率:13.5—212.5MHZ
特点:2.5 V / 3.3 V动作,超高速类型
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SG-5032晶振,爱普生振荡器,有源晶振
频率范围:1MHz ~ 170MHz (基频模式振荡器)更多 +
电源电压:1.8V ~ 5.0V
功能:待机(ST) ,使能(OE) 输出:CMOS
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SG-310晶振,石英晶体振荡器,爱普生晶振
频率范围更多 +
2MHz ~ 80MHz
电源电压
1.8V / 2.5V / 3.3V
电流消耗
1.5mA Typ. (SEF 1.8V 无负载条件 48MHz) 功能
待机(ST)
外部尺寸规格
3.2 × 2.5 × 1.05mm
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SG-210S晶振,晶体振荡器(SPXO),爱普生晶振
频率范围 :1 MHz ~ 75 MHz更多 +
电源电压 : 1.6 V ~ 3.6 V
功能 :待机(ST )
外部尺寸规格 :2.5 × 2.0 × 0.8 mm
工作温度范围 : -40 ?C ~ +105 °C
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AT-41晶体,石英晶振,NDK晶体
使用金属封装的具有高稳定性、高可靠性的晶体谐振器。更多 +
使用金属封装,充分的密封可确保其高可靠性。
采用缠带包装,可对应自动贴装。