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SG-8002JF晶振, (晶体振荡器 可编程),爱普生晶振
频率范围：1MHz to 125MHz 电源电压：3.0V / 3.3V / 5.0V 功能：使能(OE) 或 待机(ST) 利用PLL技术实现短批量生产时间。 SG-编程器可选购。更多 +
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SG-8002CA晶振,(晶体振荡器 可编程),爱普生晶振
频率范围1MHz to 125MHz更多 +
电源电压3.0V / 3.3V / 5.0V
功能使能(OE) 或 待机(ST)
利用PLL技术实现短批量生产时间。
SG-编程器可选购。
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SG-770晶振,爱普生晶振,石英晶体振荡器
频率范围：50MHz ～ 230MHz更多 +
电源电压：2.5V 或 3.3V
输出：微分LV-PECL
外部尺寸规格：7.0 × 5.0 × 1.6mm
特性带HFF-XTAL的基频振荡器
功能：待机(ST)
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SG5032晶振,有源晶振,爱普生振荡器
频率范围：73.5 MHz to 700 MHz更多 +
电源电压：2.5V / 3.3V
功能：Output enable (OE)
输出：LV-PECL or LVDS
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SG-636晶振,石英晶体振荡器,爱普生晶振
频率范围：2.21675MHz ～ 135MHz更多 +
电源电压：2.5V / 3.3V / 5.0V
功能使能：(OE) 或 待机(ST)
外部尺寸规格：10.5 × 5.8 × 2.7mm (t: Max.)
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SG645晶振,石英晶体振荡器,SPXO,爱普生晶振
频率范围：32.001MHz ～ 135.000MHz更多 +
电源电压：2.5V / 3.3V / 5.0V
功能使能：(OE) 或 待机(ST)
外部尺寸规格：7.1 × 5.1 × 1.5mm (t: Max.)
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HG-2150CA晶振, (晶体振荡器 高精度),爱普生晶振
频率范围：1MHz ～ 60MHz更多 +
电源电压：3.3V 或 5.0V
频率公差：±15 × 10-6 / -20°C to +70°C
功能使能：(OE)
外部尺寸规格：7.0 × 5.0 × 1.4mm
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SG-531P晶振,有源晶振,爱普生振荡器
频率范围：1.025MHz ～ 135MHz更多 +
电源电压：3.3V / 5.0V
功能：使能(OE) 或 待机(ST)
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DSV753S振荡器,KDS晶振,有源晶振
体积： 7.3×4.9×1.5更多 +
频率：4—50MHZ
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DSV531S晶振,压控振荡器,KDS有源晶振
体积：5.0*3.2*1.2mm更多 +
频率：5—50MHZ
特点：小型一边确保足够的可变量，线性上周波数量变化的模拟类型的VCXO
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DSO753H晶振,表面封装水晶振荡器,KDS品牌
体积：7.0*5.0*2.0mm更多 +
频率：170—230MHZ
特点：输出水平CMOS，低抖动
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DSO751SBN振荡器,有源晶振,KDS晶振
体积：7.3*4.9*1.5mm更多 +
频率：0.7—90MHZ
特点：低消费电流，一门驱动器专用振荡器，轻负荷用输出波形优化
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DSO751SBM振荡器,KDS有源晶振
体积：7.3*4.9*1.5mm更多 +
频率：0.7—90MHZ
特点：低消费电流
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DSO533S振荡器,有源晶振,SPXO晶振
体积：5.0*3.2*1.1mm更多 +
频率：13.5—212.5MHZ
特点：2.5 V / 3.3 V动作，超高速类型
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SG-5032晶振,爱普生振荡器,有源晶振
频率范围：1MHz ~ 170MHz （基频模式振荡器）更多 +
电源电压：1.8V ~ 5.0V
功能：待机(ST) ，使能(OE) 输出：CMOS
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SG-310晶振,石英晶体振荡器,爱普生晶振
频率范围更多 +
2MHz ～ 80MHz
电源电压
1.8V / 2.5V / 3.3V
电流消耗
1.5mA Typ. (SEF 1.8V 无负载条件 48MHz) 功能
待机(ST)
外部尺寸规格
3.2 × 2.5 × 1.05mm
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SG-210S晶振,晶体振荡器(SPXO),爱普生晶振
频率范围 ：1 MHz ~ 75 MHz更多 +
电源电压 ： 1.6 V ~ 3.6 V
功能 ：待机(ST )
外部尺寸规格 ：2.5 × 2.0 × 0.8 mm
工作温度范围 ： -40 ?C ~ +105 °C
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KC5032E-C3,时钟用石英晶体振荡器
特征更多 +
内置的扩频函数
微型陶瓷封装
高度可靠，焊缝
CMOS输出
电源电压VCC = 3.3V
调制外部控制垫
可选（初始测试目的）
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NV5032SA晶振,有源晶振,NDK振荡器
5.0 × 3.2mm的小型陶瓷封装品。更多 +
输出水平：CMOS
